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中文参数如下:
晶体管极性:N-Channel
工厂包装数量:50
P1dB:15 dBm
封装形式:SOT-343
安装风格:SMD/SMT
功率耗散:250 mW
最大工作温度:+ 125 C
漏极连续电流:120 mA
闸/源击穿电压:- 5 V
漏源电压 VDS:5 V
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :45 mS
增益:5 dB
频率:12 GHz
技术类型:MESFET
RoHS:否
制造商:NEC
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