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VQ1000P-E3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 PDIP-14
数量：
 8604  
说明：
 MOSFET N-CH 60V 0.225A
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VQ1000P-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：25
功率耗散：2000 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Bulk
封装形式：PDIP-14
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Quad
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.5 Ohms
漏极连续电流：0.225 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是VQ1000P-E3的详细信息，包括VQ1000P-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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