VQ1001J

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PDIP-14
数量:
 4788  
说明:
 MOSFET QD 30V 0.83A
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VQ1001J PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:25
功率耗散:2 W
最小工作温度:- 55 C
封装形式:PDIP-14
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Quad
电阻汲极/源极 RDS(导通):1 Ohms
漏极连续电流:0.83 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Vishay

以上是VQ1001J的详细信息,包括VQ1001J厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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