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VQ2001P

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 -
数量：
 8667  
说明：
 MOSFET Quad 30V 0.6A
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VQ2001P PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：25
功率耗散：2000 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Tube
封装形式：DIP-14
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Quad
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2 Ohms
漏极连续电流：0.6 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：过渡期间
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是VQ2001P的详细信息，包括VQ2001P厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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