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VQ1004P

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 -
数量：
 8640  
说明：
 MOSFET QD 60V 0.46A
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VQ1004P PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：25
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Tube
封装形式：TO-205AD-14
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Quad
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.5 Ohms
漏极连续电流：+/- 0.46 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：过渡期间
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是VQ1004P的详细信息，包括VQ1004P厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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