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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:14 ns, 36 ns
工厂包装数量:2000
上升时间:11 ns, 14 ns
功率耗散:10.8 W, 24 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:27 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :22 S, 20 S
下降时间:8 ns, 10 ns
包装形式:Reel
封装形式:TO-252-4L-5
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):37 mOhms, 40 mOhms
漏极连续电流:8 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:40 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
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