SUD50P04-23-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：: 2925
说明：: MOSFET P-CH D-S 40V TO252

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SUD50P04-23-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：23 毫欧 @ 15A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8.2A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：65nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1880pF @ 20V
功率 - 最大：3.1W
安装类型：表面贴装

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