SUD50P04-08-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-252AA
数量：: 6795
说明：: MOSFET P-CH D-S 40V DPAK

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SUD50P04-08-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8.1 毫欧 @ 22A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：50A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：159nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：5380pF @ 20V
功率 - 最大：2.5W
安装类型：表面贴装

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