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SUD50NP04-94-T4-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: DPAK
数量：: 1098
说明：: MOSFET 40V 8.0A 13.2/15.6W 41/53mohm @ 10V

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：30 ns, 34 ns
工厂包装数量：2000
上升时间：60 ns, 91 ns
功率耗散：5.9 W, 6.1 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：64 ns, 47 ns
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Common Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.041 Ohms, 0.053 Ohms
漏极连续电流：8 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V, +/- 16 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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