SUD50NP04-62-T4-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: DPAK
数量：: 1089
说明：: MOSFET 40V 8.0A 15.6/23.5W 30/32mohm @ 10V

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：40 ns, 51 ns
工厂包装数量：2000
上升时间：75 ns, 106 ns
功率耗散：6 W, 6.7 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：56 ns, 50 ns
包装形式：Reel
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Common Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.03 Ohms, 0.032 Ohms
漏极连续电流：8 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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