SUD50N10-18P-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
数量:
 6786  
说明:
 MOSFET N-CH 100V DPAK
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SUD50N10-18P-GE3-TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63图片

SUD50N10-18P-GE3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:18.5 毫欧 @ 15A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:50A
Id 时的 Vgs(th)(最大):5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:75nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :2600pF @ 50V
功率 - 最大:2.5W
安装类型:表面贴装

以上是SUD50N10-18P-GE3的详细信息,包括SUD50N10-18P-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC