SUD50N10-18P-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
数量：: 6786
说明：: MOSFET N-CH 100V DPAK

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SUD50N10-18P-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：18.5 毫欧 @ 15A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：50A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：75nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：2600pF @ 50V
功率 - 最大：2.5W
安装类型：表面贴装

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