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STP4N62K3

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-220
数量：
 4338  
说明：
 MOSFET N-Ch 620V 1.8 ohm 3.8 A SuperMESH3
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STP4N62K3-TO-220图片

STP4N62K3 PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：70 W
栅极电荷 Qg：14 nC
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.95 Ohms
漏极连续电流：3.8 A
闸/源击穿电压：3 V
汲极/源极击穿电压：620 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STP4N62K3的详细信息，包括STP4N62K3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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