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STP4NB50

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-220-3
数量：: 5346
说明：: MOSFET RO 511-STP4NK50Z

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STP4NB50 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：50
上升时间：8 ns
功率耗散：80 W
最小工作温度：- 65 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：2.3 S
下降时间：5 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.5 Ohms
漏极连续电流：3.8 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：STMicroelectronics

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