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STP4NB80

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-220
数量：
 5355  
说明：
 MOSFET RO 512-FQP4N80 3/05
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STP4NB80-TO-220图片

STP4NB80 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：50
上升时间：8 ns
功率耗散：100 W
最小工作温度：- 65 C
下降时间：9 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3.3 Ohms
漏极连续电流：4 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：800 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：STMicroelectronics

以上是STP4NB80的详细信息，包括STP4NB80厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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