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STP4NA80

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-220
数量：
 4509  
说明：
 MOSFET RO 511-STP4NB80 TO-220 N-CH 800V 4A
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STP4NA80 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：50
上升时间：70 ns
功率耗散：110 W
最小工作温度：- 65 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：4.3 S
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.4 Ohms
漏极连续电流：4 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：800 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：STMicroelectronics

以上是STP4NA80的详细信息，包括STP4NA80厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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