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STP4N150

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-220-3
数量：
 5328  
说明：
 MOSFET PowerMESH MOSFET
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STP4N150-TO-220-3图片

STP4N150 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：45 ns
工厂包装数量：50
上升时间：30 ns
功率耗散：160 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：3.5 S
下降时间：45 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5 Ohms
漏极连续电流：4 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：1500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STP4N150的详细信息，包括STP4N150厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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