STGW60H65DF

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 TO-247-3
数量:
 3222  
说明:
 IGBT 晶体管 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT
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STGW60H65DF PDF参数资料

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中文参数如下:

安装风格:Through Hole
包装形式:Tube
封装形式:TO-247
功率耗散:360 W
在25 C的连续集电极电流:120 A
栅极/发射极最大电压:20 V
集电极—射极饱和电压:2.1 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V
RoHS:是
产品种类:IGBT 晶体管
制造商:STMicroelectronics

以上是STGW60H65DF的详细信息,包括STGW60H65DF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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