STGW60H65DRF

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-247-3
数量：: 3231
说明：: IGBT 晶体管 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT

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STGW60H65DRF PDF参数资料

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中文参数如下：

安装风格：SMD/SMT
包装形式：Tube
封装形式：TO-247
功率耗散：360 W
栅极—射极漏泄电流：250 nA
在25 C的连续集电极电流：120 A
栅极/发射极最大电压：20 V
集电极—射极饱和电压：1.9 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V
RoHS：是
制造商：STMicroelectronics

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