点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
安装风格:Through Hole
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Tube
封装形式:TO-247
最大工作温度:+ 150 C
功率耗散:360 W
栅极—射极漏泄电流:100 nA
在25 C的连续集电极电流:120 A
栅极/发射极最大电压:+/- 20 V
集电极—射极饱和电压:1.9 V
RoHS:是
产品种类:IGBT 晶体管
制造商:STMicroelectronics
以上是STGW60H65F的详细信息,包括STGW60H65F厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!