STGW80H65DFB-4

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-247-4
数量：: 8055
说明：: IGBT BIPO 650V 80A TO247

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STGW80H65DFB-4 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-247-4
安装类型：通孔
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：85 ns
测试条件：400V，80A，10 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：84ns/280ns
栅极电荷：414 nC
输入类型：标准
开关能量：2.1mJ（开），1.5mJ（关）
功率 - 最大值：469 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，80A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：240 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

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