STGW75M65DF2

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-247-3
数量：: 7308
说明：: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

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STGW75M65DF2 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-247-3
安装类型：通孔
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：165 ns
测试条件：400V，75A，3.3 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：47ns/125ns
栅极电荷：225 nC
输入类型：标准
开关能量：690μJ（开），2.54mJ（关）
功率 - 最大值：468 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，75A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：225 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：120 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：M
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

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