SIS426DN-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 PowerPAK? 1212-8
数量:
 3312  
说明:
 MOSFET 20V 35A 52W 4.2mohm @ 10V
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SIS426DN-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SIS426DN-GE3
典型关闭延迟时间:29 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:13 ns
功率耗散:3.7 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :50 S
下降时间:17 ns
包装形式:Reel
封装形式:PowerPAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0046 Ohms
漏极连续电流:35 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIS426DN-T1-GE3的详细信息,包括SIS426DN-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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