首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SIS468DN-T1-GE3

SIS468DN-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 PowerPAK? 1212-8
数量：
 3348  
说明：
 MOSFET 80V 19.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SIS468DN-T1-GE3-PowerPAK? 1212-8图片

SIS468DN-T1-GE3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SIS468DN-GE3
功率耗散：52 W
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK 1212-8
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：19.5 mOhms at 10 V
漏极连续电流：30 A
闸/源击穿电压：3 V
汲极/源极击穿电压：80 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIS468DN-T1-GE3的详细信息，包括SIS468DN-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • ISC0804NLSATMA1
  • PSMN1R4-30YLDX
  • IXTY90N055T2-TRL
  • IPB100N06S2L05ATMA2
  • AOTF292L
  • AOWF20S60
  • AOW20S60
  • GT100N12D5
  • SQJ886EP-T1_BE3
  • DMT15H017LPS-13

    • 相近型号推荐

    • 暂无电子元件图

      SIS5102QP1HT1G

      开关变换器、稳压器与控制器 MI HI SD SMRT HOTPLG

    • 暂无电子元件图

      SIS5102QP2HT1G

      开关变换器、稳压器与控制器 MI HI SD SMRT HOTPLG

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC