SIS436DN-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? 1212-8
数量：: 4689
说明：: MOSFET 25V 16A 27.7W 10.5mohm @ 10V

一、本商品被浏览0次.

SIS436DN-T1-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SIS436DN-GE3
典型关闭延迟时间：15 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：12 ns
功率耗散：3.5 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：45 S
下降时间：10 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK 1212-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.00805 Ohms
漏极连续电流：16 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：25 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIS436DN-T1-GE3的详细信息，包括SIS436DN-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：