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SIS456DN-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 PowerPAK? 1212-8
数量：
 3366  
说明：
 MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET
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SIS456DN-T1-GE3-PowerPAK? 1212-8图片

SIS456DN-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIS456DN-GE3
功率耗散：2 W, 3.8 W, 33 W, 52 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：36 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：75 S
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK 1212-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0042 Ohms
漏极连续电流：35 A
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SIS456DN-T1-GE3的详细信息，包括SIS456DN-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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