SIHB16N50C-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：: 7241
说明：: MOSFET N-Channel 500V

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SIHB16N50C-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：29 nS
上升时间：156 nS
功率耗散：38 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：68 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：3 S
下降时间：31 nS
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.38 Ohms at 10 V
漏极连续电流：16 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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