SIHB22N60S-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: D2PAK（TO-263）
数量：: 765
说明：: MOSFET 600V N-Channel Superjunction D2PAK

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SIHB22N60S-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：77 ns
上升时间：68 ns
功率耗散：227 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：75 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：9.4 S
下降时间：59 ns
包装形式：Tube
封装形式：D2PAK-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.18 Ohms
漏极连续电流：21 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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