SIHB22N60E-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
数量:
 4518  
说明:
 MOSFET 600V 180mOhm@10V 21A N-Ch E-SRS
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SIHB22N60E-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下:

功率耗散:227 W
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Tube
封装形式:D2PAK (TO-263)
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):180 mOhms at 10 V
漏极连续电流:21 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHB22N60E-GE3的详细信息,包括SIHB22N60E-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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