SIHB33N60E-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：: 8530
说明：: MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：150 ns
商标名：E-Series
上升时间：90 ns
功率耗散：278 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：150 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：11 S
下降时间：80 ns
包装形式：Bulk
封装形式：D2PAK (TO-263)
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：99 mOhms at 10 V
漏极连续电流：33 A
闸/源击穿电压：4 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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