SIHB33N60E-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
数量:
 8530  
说明:
 MOSFET 600V 99mOhm@10V 33A N-Ch E-SRS
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SIHB33N60E-GE3-TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB图片

SIHB33N60E-GE3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

典型关闭延迟时间:150 ns
商标名:E-Series
上升时间:90 ns
功率耗散:278 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:150 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :11 S
下降时间:80 ns
包装形式:Bulk
封装形式:D2PAK (TO-263)
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):99 mOhms at 10 V
漏极连续电流:33 A
闸/源击穿电压:4 V
汲极/源极击穿电压:600 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SIHB33N60E-GE3的详细信息,包括SIHB33N60E-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC