SIHD1K4N60E-GE3

厂家:
  Vishay Siliconix
封装:
 D-Pak
数量:
 2412  
说明:
 MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
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中文参数如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):63W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):172 pF @ 100 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):7.5 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.45 欧姆 @ 500mA,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A(Tc)
漏源电压(Vdss):600 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:在售
包装:E
系列:散装
品牌:Vishay Siliconix

以上是SIHD1K4N60E-GE3的详细信息,包括SIHD1K4N60E-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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