SIHD1K4N60E-GE3

厂家：: Vishay Siliconix
封装：: D-Pak
数量：: 2412
说明：: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：63W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：172 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.5 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.45 欧姆 @ 500mA，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4.2A（Tc）
漏源电压（Vdss）：600 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：E
系列：散装
品牌：Vishay Siliconix

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