SIHB12N60E-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: D2PAK（TO-263）
数量：: 4482
说明：: MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS

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SIHB12N60E-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：35 ns
上升时间：38 ns
功率耗散：147 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：58 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：3.8 S
下降时间：38 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK (TO-263)
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：380 mOhms at 10 V
漏极连续电流：12 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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