SI8902EDB-T2-E1

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 6-Micro Foot?(2.36x1.56)
数量:
 1161  
说明:
 MOSFET 20V 5.0A 1.7W 45mohm @ 4.5V
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SI8902EDB-T2-E1-6-Micro Foot?(2.36x1.56)图片

SI8902EDB-T2-E1 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:17000 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:3000 ns
功率耗散:1 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:3000 ns
包装形式:Reel
封装形式:Micro Foot-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):45 mOhms
漏极连续电流:3.9 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI8902EDB-T2-E1的详细信息,包括SI8902EDB-T2-E1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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