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SI5944DU-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? ChipFet 双
数量：: 5454
说明：: MOSFET 40V 6.0A 10W 112mohm @ 10V

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SI5944DU-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI5944DU-GE3
典型关闭延迟时间：10 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：30 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：6.6 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：6.88 S
下降时间：6 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK-8 ChipFET Dual
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：112 mOhms
漏极连续电流：3.28 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI5944DU-T1-GE3的详细信息，包括SI5944DU-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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