SI5999EDU-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? ChipFet 双
数量：: 8397
说明：: MOSFET 20V 6A DUAL P-CH MOSFET

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SI5999EDU-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI5999EDU-GE3
功率耗散：10.4 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：13.2 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：11 S
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK ChipFET Dual
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.047 Ohms
漏极连续电流：- 6 A
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

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