SI5997DU-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? ChipFet 双
数量：: 3528
说明：: MOSFET 30V 6A 10.4W 54mOhms @ 10V

一、本商品被浏览0次.

SI5997DU-T1-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SI5997DU-GE3
功率耗散：10.4 W
包装形式：Reel
封装形式：ChipFET
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.054 Ohms at 10 V
漏极连续电流：- 6 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI5997DU-T1-GE3的详细信息，包括SI5997DU-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：