SI5980DU-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? ChipFet 双
数量：: 6318
说明：: MOSFET 100V 2.5A 7.8W .567Ohms @ 10V

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SI5980DU-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI5980DU-GE3
功率耗散：7.8 W
包装形式：Reel
封装形式：ChipFET
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.567 Ohms at 10 V
漏极连续电流：2.5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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