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SI4435DY_Q

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SOIC-8 Narrow
数量：: 3528
说明：: MOSFET 30V SinGLE P-Ch

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SI4435DY_Q PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：42 ns
上升时间：13.5 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：24 S
下降时间：25 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.02 Ohms
漏极连续电流：- 8.8 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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