SI4435DY_Q

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 SOIC-8 Narrow
数量:
 3528  
说明:
 MOSFET 30V SinGLE P-Ch
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SI4435DY_Q-SOIC-8 Narrow图片

SI4435DY_Q PDF参数资料

中文参数如下:

典型关闭延迟时间:42 ns
上升时间:13.5 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :24 S
下降时间:25 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.02 Ohms
漏极连续电流:- 8.8 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:- 30 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是SI4435DY_Q的详细信息,包括SI4435DY_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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