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SI4435DYPBF

厂家：: International Rectifier
封装：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
数量：: 3861
说明：: MOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 20mOhms 40nC

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：130 ns
工厂包装数量：95
上升时间：17 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：40 nC
下降时间：31 ns
包装形式：Tube
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.02 Ohms
漏极连续电流：- 8 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

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