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SI4435DY-REVA-E3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SOIC-8 Narrow
数量：
 3546  
说明：
 MOSFET 30V 8A 2.5W
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SI4435DY-REVA-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：75 ns
上升时间：17 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：31 ns
包装形式：Tube
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：20 mOhms
漏极连续电流：8 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4435DY-REVA-E3的详细信息，包括SI4435DY-REVA-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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