SI4435DYTRPBF

厂家:
  International Rectifier
封装:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
数量:
 20711  
说明:
 MOSFET HEXFET P-CH Low 0.020 Ohm -30V
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SI4435DYTRPBF-8-SOIC(0.154

SI4435DYTRPBF PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:130 ns
工厂包装数量:4000
上升时间:76 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:40 nC
下降时间:90 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):35 mOhms
漏极连续电流:- 8 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:- 30 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

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