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SI1967DH-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SC-70-6
数量：: 6417
说明：: MOSFET 20V 1.3A DUAL P-CH MOSFET

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SI1967DH-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI1967DH-GE3
功率耗散：1.25 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：2.6 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：2 S
包装形式：Reel
封装形式：SC-70-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.49 Ohms
漏极连续电流：1.3 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

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