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SI1988DH-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SC-70-6
数量：: 6462
说明：: MOSFET N-CH 20V DUAL SC-70-6

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中文参数如下：

FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：168 毫欧 @ 1.4A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.3A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：4.1nC @ 8V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：110pF @ 10V
功率 - 最大：1.25W
安装类型：表面贴装

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