SI1972DH-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 SC-70-6
数量:
 6444  
说明:
 MOSFET N-CH 30V DUAL SC-70-6
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SI1972DH-T1-GE3-SC-70-6图片

SI1972DH-T1-GE3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:225 毫欧 @ 1.3A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.3A
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:2.8nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :75pF @ 15V
功率 - 最大:1.25W
安装类型:表面贴装

以上是SI1972DH-T1-GE3的详细信息,包括SI1972DH-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • SI2035图片

    SI2035

    电机驱动器 W/BUILT-IN CPU

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC