首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SI1970DH-T1-GE3

SI1970DH-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SC-70-6
数量：
 7128  
说明：
 MOSFET N-CH DUAL 30V SC70-6
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SI1970DH-T1-GE3-SC-70-6图片

SI1970DH-T1-GE3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：225 毫欧 @ 1.2A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.3A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.6V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：3.8nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：95pF @ 15V
功率 - 最大：740mW
安装类型：表面贴装

以上是SI1970DH-T1-GE3的详细信息，包括SI1970DH-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • ISC0804NLSATMA1
  • PSMN1R4-30YLDX
  • IXTY90N055T2-TRL
  • IPB100N06S2L05ATMA2
  • AOTF292L
  • AOWF20S60
  • AOW20S60
  • GT100N12D5
  • SQJ886EP-T1_BE3
  • DMT15H017LPS-13

    • 相近型号推荐

    • SI2035图片

      SI2035

      电机驱动器 W/BUILT-IN CPU

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC