SI1913EDH-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SC-70-6
数量：: 6372
说明：: MOSFET 20V 1.0A

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SI1913EDH-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI1913EDH-E3
典型关闭延迟时间：0.84 us
商标名：TrenchFET
工厂包装数量：3000
上升时间：0.48 us
功率耗散：740 mW
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：1.5 S
下降时间：0.85 us
包装形式：Reel
封装形式：SOT-363-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.49 Ohms
漏极连续电流：1 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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