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SI1539DL-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SC-70-6
数量：
 6192  
说明：
 MOSFET N/P-CH 30V SC70-6
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SI1539DL-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：N 和 P 沟道
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：480 毫欧 @ 590mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：540mA, 420mA
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：1.4nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：-
功率 - 最大：270mW
安装类型：表面贴装

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