首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SI1555DL-T1

SI1555DL-T1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SOT-363-6
数量：: 243
说明：: MOSFET 20/8 0.7/0.6

一、本商品被浏览0次.

SI1555DL-T1 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：10 ns
商标名：TrenchFET
工厂包装数量：3000
上升时间：16 ns at N Channel, 25 ns at P Channel
功率耗散：270 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：16 ns at N Channel, 25 ns at P Channel
包装形式：Reel
封装形式：SOT-363-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.385 Ohms, 0.6 Ohms
漏极连续电流：0.7 A, 0.6 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V, +/- 8 V
汲极/源极击穿电压：+ 20 V, - 8 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI1555DL-T1的详细信息，包括SI1555DL-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：