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SI1563EDH-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SC-70-6
数量：: 6876
说明：: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6

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SI1563EDH-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：
FET 型：N 和 P 沟道
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：280 毫欧 @ 1.13A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.13A, 880mA
Id 时的 Vgs(th)（最大）：450mV @ 100µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：1nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：-
功率 - 最大：570mW
安装类型：*

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