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SI1563EDH-T1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SOT-363-6
数量：: 279
说明：: MOSFET 20V 1.28/1.0

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SI1563EDH-T1 PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：350 nS, 840 nS
商标名：TrenchFET
工厂包装数量：3000
上升时间：85 nS, 480 nS
功率耗散：570 mW
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：0.65 nC, 1.2 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：2.6 S, 1.5 S
下降时间：210 nS, 850 nS
包装形式：Reel
封装形式：SOT-363-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.28 Ohms at 4.5 V, 0.49 Ohms at - 4.5 V
漏极连续电流：1.28 A, - 1 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：+/- 20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI1563EDH-T1的详细信息，包括SI1563EDH-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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