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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:10 ns at N Channel, 8.5 ns at P Channel
商标名:TrenchFET
工厂包装数量:3000
上升时间:16 ns at N Channel, 20 ns at P Channel
功率耗散:300 mW
最小工作温度:- 55 C
下降时间:16 ns at N Channel, 20 ns at P Channel
包装形式:Reel
封装形式:SOT-363-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.385 Ohms, 0.995 Ohms
漏极连续电流:0.7 A, 0.44 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:+/- 20 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
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